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重电子掺杂FeSe超导体中multiple-Q自旋涨落驱动的电荷序研究

  在铁基和铜基等非常规超导体中,电声相互作用、电子关联、磁相互作用等既可以诱导出与超导竞争的反铁磁序、电荷序等静态序,也可以作为电子配对的重要媒介,因此研究静态序的性质及其涨落对于理解非常规超导体中的相互作用以及非常规超导机理十分重要。对于铁基超导体,费米面上电子带和空穴带之间的嵌套导致的S+-配对图像被普遍接受。然而,对于重电子掺杂FeSe类超导体,Tc也很高,但是其费米面上仅有电子带,使得嵌套理论失效。同时,在其他铁基超导体中被广泛观察到的竞争序,如反铁磁序和向列序等,在重电子掺杂FeSe超导体中很少被发现。因此,研究重电子掺杂FeSe超导体中的静态序并厘清其与超导电性的关系对于加深对铁基超导体的理解及超导配对对称性非常重要。近来,人们发现可以通过调节(Li0.84Fe0.16OH)Fe1-xSeFeSe层的Fe位缺陷的浓度来调节其Tc,因此这类材料是研究欠掺杂区的物性以及寻找竞争序的良好平台。因此,我们利用低温扫描隧道显微镜对重电子掺杂的系列不同Tc(Li0.84Fe0.16OH)Fe1-xSe薄膜进行了测量。


  我们系统测量了不同Tc(Li0.84Fe0.16OH)Fe1-xSe薄膜的电子态密度和超导能隙结构随着Fe位缺陷浓度的演化情况,发现随着FeSe层中Fe位缺陷浓度的逐渐增加,超导电性会被逐渐抑制。在最佳掺杂样品中发现了被Fe位缺陷钉扎的局部静态棋盘序,随着Fe位缺陷浓度的增多超导被压制后,这种棋盘序会逐渐扩展到没有缺陷的大片FeSe区域,甚至在非超导样品中也依然存在。实验证明这种静态的棋盘电荷序是与超导相互竞争的。结合非弹性中子散射实验测得的磁激发模,通过模拟,我们推测棋盘电荷序可能起源于样品中的多个不同波矢的自旋涨落的叠加,它们被缺陷钉扎而形成局部静态序。这一成果填补了对重电子掺杂FeSe基超导体中竞争序研究的空白,暗示了自旋涨落在此类样品中可能也起到了重要作用,甚至可能与超导配对相关。


该工作发表在Nat. Commun. 14, 2023 (2023)DOIhttps://doi.org/10.1038/s41467-023-37792-3.